Seeding Effect of Ti-layer on Lead Zirconate Titanate(PZT) Thin Films Deposited by Facing Target Sputtering

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抄録

The PZT thin films with highly (111) oriented perovskite phase have been prepared on Ti-layer seeding platinized silicon at such a low substrate temperature as 200°C by facing target sputtering. The seeding mechanism of titanium layer and the crystallograghic characteristics of samples were investigated in this paper.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(5), 577-580, 1999-05-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  12件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004567999
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4761230
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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