大電流酸素イオン注入用マイクロ波イオン源の特性 Characteristics of a High Current Microwave Ion Source for Oxygen Ion Implanter

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抄録

Separation by Implanted Oxygen (SIMOX) wafer is recognized as one of the promising Silicon on Insulator (SOI) substrates to be used for next generation semiconductor device fabrication. Since high dose O<SUP>+</SUP> implantation of about 4 × 10<SUP>17</SUP> ions/cm<SUP>2</SUP> is conventionally carried out in SIMOX wafer fabrication process, the use of very highcurrent ion beams is indispensable for volume production. This report describes characteristics of a new high-current microwave ion source which contains a specially-designed transform waveguide and a cylindrical plasma chamber. Oxygen ion beams of 240 mA could be extracted with multi-aperture electrode system. The data indicates that this source has a good potential to increase SOI substrate throughput.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(7), 670-675, 1999-07-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  12件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004568161
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4799986
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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