エキシマ・レーザ・アニールにより形成された低温プロセス多結晶Ｓｉのキャラクタリゼーション

• 松尾 直人

  山口大学工学部電気電子工学科

• 浜田 弘喜

  三洋電機 (株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 綾 洋一郎

  三洋電機 (株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 納田 朋幸

  三洋電機 (株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 三好 正毅

  山口大学工学部電気電子工学科

書誌事項

タイトル別名

• Characterization of Low-Temperature Processed Poly-Si Film Prepared by Excimer Laser Annealing.
• カイセツ エキシマ レーザ アニール ニ ヨリ ケイセイ サレタ テイオン プロセス タケッショウ Si ノ キャラクタリゼーション

収録刊行物

• 真空

  真空 42 (8), 741-748, 1999

  一般社団法人 日本真空学会

キーワード

• Electrical and Electronic Engineering
• Surfaces, Coatings and Films
• Condensed Matter Physics

詳細情報

• CRID: 1390001204065583872
• NII論文ID: 10004568288
• NII書誌ID: AN00119871
• DOI: 10.3131/jvsj.42.741
• ISSN: 18809413
• ISSN: 05598516
• NDL書誌ID: 4850448
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I4850448
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles