SiおよびSi化合物表面からのSiクラスタ-の熱脱離(I)-Si表面上でのSiクラスタ-の自発的形成とTa表面上での解離- Thermal Desorption of Si Clusters from Si and Si-compound Surfaces(I)-Spontaneous Formation of Si Clusters on Si Surface and Dissociation on Ta Surface-

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著者

    • 田中 英行 TANAKA Hideyuki
    • アトムテクノロジー研究体, オングストロームテクノロジ研究機構 Joint Research Center for Atom Technology, Angstrom Technology Partnership
    • 金山 敏彦 KANAYAMA Toshihiko
    • アトムテクノロジ-研究体, 産業技術融合領域研究所 Joint Research Center for Atom Technology, National Institute for Advanced Interdisciplinary Research

抄録

Using quadrupole mass spectrometry, we observed thermal desorption of Si clusters from Si and Si-deposited Ta surfaces. From Si surfaces, desorption of monomers and clusters up to Sib occurred at 1000-1300°C. From Ta surfaces, on the other hands, only Si monomers desorbed at 1300-1700°C, showing that the large cohesive energy of Si with Ta suppresses the cluster desorption. This indicates that Ta surfaces facilitate elimination of clusters from Si vapor to obtain a purely monoatomic beam. It is also discussed that the desorption rate of each species is thermodynamically governed by the formation energy.

収録刊行物

  • 真空  

    真空 42(8), 749-755, 1999-08-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  19件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004568307
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    4850462
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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