解説(311)A面GaAs段差基板上にMBE成長により作製した模型P-n接合光電子デバイス

書誌事項

タイトル別名
  • カイセツ 311 Aメン GaAs ダンサ キバン ジョウ ニ MBE セイチョウ ニ ヨリ サクセイ シタ モケイ P-n セツゴウ コウデンシ デバイス

この論文をさがす

収録刊行物

  • 応用物理

    応用物理 68 (12), 1359-1365, 1999-12

    東京 : 応用物理学会

参考文献 (24)*注記

もっと見る

詳細情報

問題の指摘

ページトップへ