エピタキシャル成長SiCのパワーデバイスへの応用 Epitaxial growth of high-quality SiC and application to power devices.

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  • 應用物理

    應用物理 68(12), 1384-1387, 1999-12-10

    応用物理学会

参考文献:  15件中 1-15件 を表示

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    DOI 被引用文献26件

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004651486
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    4928393
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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