Fabrication of Reactive Ion Etching Systems for Deep Silicon Machining (特集:マイクロマシン加工技術) Fabrication of Reactive Ion Etching Systems for Deep Silicon Machining

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抄録

Reactive ion etching (RIE) systems using capacitively coupled plasma (CCP) and inductively coupled plasma (ICP) sources with SF<sub>6</sub> gas have been developed for deep silicon machining with high aspect ratio. The developed RIE systems demonstrated high etch rate (2.3μm/min) and high selectivity (1700) for a sputtered nickel mask in silicon etching. A large capacity turbo molecular pump (TMP) with a small etching chamber was used to realize a low pressure with a high flow rate of etching gas. A circulatory cooling apparatus was used for cooling a silicon wafer. Etch rate showed uniformity within 10% for the area of 50cm<sup>2</sup>. Using the RIE system, we succeeded to etch a 200μm thick silicon wafer vertically through the thickness with an aspect ratio greater than 10. The RIE can be applied to fabricate three-dimensional silicon microstructures.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society  

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 117(1), 10-14, 1997-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  10件

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被引用文献:  5件

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キーワード

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004831812
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    4106302
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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