窒素イオンビームを用いたポリイミド膜の高アスペクト比微細加工 High-Aspect-Ratio Patterning of Thick Polyimide Film by N_<[2]> Ion Beam Etching

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抄録

A high-aspect-ratio and precise patterning of thick polyimide film has been achieved using a 50-μm-thick polyimide film masked by 0.1-μm-thick Ta film. The film was etched by a low-energy N<sub>2</sub> ion beam with a single-grid Kaufman-type ion source. The selective ratio of the polyimide film vs. the Ta film reached more than 600. The wall angle of the polyimide pattern was about 2°. Etching rate experiments and XPS, FTIR, AFM analysis suggest that N<sub>2</sub> ion beam etching is a reactive ion etching.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society  

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 117(1), 39-44, 1997-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  10件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004831863
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    4106307
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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