The Microassembly Technique for a 3D Single Crystaalline Silicon Structure Using a Polyimide/Chromium Cantilever

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抄録

The microassembly technique on the wafer is key technology to realize multi-axis sensors (e. g. magnetometer) or three-dimensional micro systems (e. g. an optical system). We have investigated the bending of a polyimide/chromium cantilever to lift a silicon island (400×300×10μm<sup>3</sup> and 1000×1000×240μm<sup>3</sup>) on the wafer at an angle of 90°, the planarization of a diced silicon sidewall and the bonding of a silicon island to the planarized silicon sidewall with polyimide interlayer. With this microassembly technique, the three-dimensional single crystalline silicon structures have been fabricated.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society  

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 119(4), 236-241, 1999-04 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  9件

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被引用文献:  4件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10004833854
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    4705193
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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