High frequency characteristics of highly resistive (CoFeB)-(SiO2) amorphous film and its application to GHz-drive inductor

• Munakata M.

  Kumamoto Institute of Technology

• Yagi M.

  Kumamoto Institute of Technology

• Shimada Y.

  Thohoku University

• Baba M.

  Thohoku University

• Yamaguchi M.

  Thohoku University

• Arai K. I.

  Thohoku University

Bibliographic Information

Other Title

• (CoFeB)-(SiO2)系アモルファス高電気抵抗膜の高周波特性と GHz帯インダクタへの応用
• CoFeB SiO2 ケイ アモルファス コウデンキ テイコウ マク ノ コウシュウハ トクセイ ト GHzタイ インダクタ エ ノ オウヨウ

Journal

• IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials

  IEEJ Transactions on Fundamentals and Materials 120 (5), 638-644, 2000

  The Institute of Electrical Engineers of Japan

Keywords

• (CoFeB)-(SiO2)膜
• 高電気抵抗
• 軟磁性
• アモルファス構造
• 比透磁率
• GHz帯インダクタ

Details

• CRID: 1390001204598882688
• NII Article ID: 10005320976
• NII Article ID: 130006838695
• NII Book ID: AN10136312
• DOI: 10.1541/ieejfms1990.120.5_638
• ISSN: 13475533
• ISSN: 03854205
• NDL BIB ID: 5362958
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5362958
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms1990/120/5/120_5_638/_pdf
• Data Source:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles