水素終端Si表面におけるGe成長の理論 Theoretical Investigation of Ge Growth on H-terminated Si Surface

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著者

    • 奈良 純 NARA Jun
    • 物質・材料研究機構 計算材料科学研究センター Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science
    • 大野 隆央 OHNO Takahisa
    • 物質・材料研究機構 計算材料科学研究センター Computational Materials Science Center, National Institute for Materials Science

収録刊行物

  • 表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan

    表面科学 : hyomen kagaku = Journal of the Surface Science Society of Japan 23(2), 81-87, 2002-02-10

    日本表面科学会

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008008296
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • NDL 記事登録ID
    6066173
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-379
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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