水素終端Si表面におけるGe成長の理論

• 奈良 純

• 大野 隆央

書誌事項

タイトル別名

• スイソ シュウ タン Si ヒョウメン ニ オケル Ge セイチョウ ノ リロン
• 特集:半導体表面界面形成の微視的理解における理論の進展
• トクシュウ ハンドウタイ ヒョウメン カイメン ケイセイ ノ ビシテキ リカイ ニ オケル リロン ノ シンテン

抄録

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > 電子書籍・電子雑誌 > 学術機関 > 学協会

収録刊行物

• 表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編

  表面科学 = Journal of the Surface Science Society of Japan / 日本表面科学会 編 23 (2), 81-87, 2002-02

  東京 : 日本表面科学会

詳細情報

• CRID: 1523388080219150592
• NII論文ID: 10008008296
• NII書誌ID: AN00334149
• ISSN: 03885321
• NDL書誌ID: 6066173
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6066173
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZM35(科学技術--物理学)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles