<シミュレーション技術>総論 Semiconductor simulation technology-Introduction

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 西 謙二 NISHI Kenji
    • (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部 Semiconductor Leading Edge Technologies

抄録

半導体のシミュレーション技術の基礎の導入部分として,シミュレーション技術の概要を紹介する.シミュレーション技術とは何かを概説した後に,産業界での使用目的,効果に関して説明する.次に,シミュレーション精度に関する問題点を,モデルのレベル,および合わせ込みとの関連で説明する.最後に,今後のシミュレーションの課題に関して,ロードマップに従って概説する.

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 71(5), 588-592, 2002-05-10

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  6件中 1-6件 を表示

  • <no title>

    SENEZ V.

    Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., Washington D. C. 831, 2001

    被引用文献1件

  • <no title>

    LIU W.

    BSIM3v3 User's Manual, 1996

    被引用文献1件

  • <no title>

    SUETAKE M.

    Proc. Int. Conf. Simulation of Semiconductor Processes and Devices, Athens 261, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    MULVANEY B. J.

    Appl. Phys. Lett. 51, 1439, 1987

    被引用文献1件

  • <no title>

    ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) 315, 1999

    被引用文献1件

  • <no title>

    西謙二

    第48回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 40, 2001

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008201131
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    6128096
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
ページトップへ