臭素によるSi(111)表面のエッチング過程の高感度測定 Measurement of the Etching Process of Br/Si(111) by Means of the High Sensitive Mass Spectroscopy

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抄録

We constructed the very sensitive pulsecount-detector system to study the desorption from semiconductor surface in the ultra-high vacuum. We show the results of thermal desorption from Br/Si (111). According to thermal desorption spectroscopy, three peaks are identified in the SiBr2 (187.8 amu) spectra. From the time-course of the isothermal desorption yield as a function of time, the peak at 950 K is turned out to be of the 2nd order, and from its tempereture dependence it exhibits 2.2 eV of the potential barrier. The barriers of the peaks at 800 K and at 600 K are 0.3 ± 0.1 eV and 0.5 ± 0.1 eV, respectively.

収録刊行物

  • 真空

    真空 45(3), 192-195, 2002-03-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  9件中 1-9件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008202919
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    6144219
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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