マグネトロンスパッタ法による遷移金属炭化物薄膜の形成と冷陰極材料としての評価 Magnetron Sputter Deposition of Transition Metal Carbide Thin Films and Their Evaluation as a Cold Cathode

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著者

    • 後藤 康仁 GOTOH Yasuhito
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 紀和 伸政 KIWA Nobumasa
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 辻 博司 [他] TSUJI Hiroshi
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 石川 順三 ISHIKAWA Junzo
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University

抄録

Transition metal carbide thin films were prepared by radio frequency magnetron sputter deposition. The target used was hafnium carbide and tantalum carbide, and sputtering was taken place by argon gas discharge. It was necessary to adjust the sputtering condition, in order to obtain carbide films, otherwise the resultant films contained much oxygen. Higher gas pressure and lower input power gave almost stoichiometry carbide films for tantalum, whlie the condition was not still appropriate for hafnium. We have evaluated crystallinity and work function of the deposited films.

収録刊行物

  • 真空

    真空 45(3), 212-214, 2002-03-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008202981
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    6144507
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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