窒化物ターゲットを用いた高周波スパッタリング法によるハフニウム及びタンタル窒化物薄膜の形成と評価

DOI Web Site 参考文献6件
  • 後藤 康仁
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 紀和 伸政
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 辻 博司
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
  • 石川 順三
    京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

書誌事項

タイトル別名
  • Evaluation of Hafnium and Tantalum Nitride Thin Films Prepared by Magnetron Sputter Deposition with a Nitride Target.
  • チッカブツ ターゲット オ モチイタ コウシュウハ スパッタリングホウ ニ ヨル ハフニウム オヨビ タンタル チッカブツ ハクマク ノ ケイセイ ト ヒョウカ

この論文をさがす

抄録

We have prepared hafnium and tantalum nitride thin films by magnetron sputter deposition and evaluated their properties. Unlike the common preparation method of the nitride, that is, reactive sputtering, we adopted the direct sputtering of nitride target by pure argon plasma. The nitrogen concentration of the films was approximately the same with the target for hafnium nitride, but was slightly lower than the target for tantalum nitride. The film properties such as crystallinity and work function was measured.

収録刊行物

  • 真空

    真空 45 (3), 309-312, 2002

    一般社団法人 日本真空学会

参考文献 (6)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ