窒化物ターゲットを用いた高周波スパッタリング法によるハフニウム及びタンタル窒化物薄膜の形成と評価 Evaluation of Hafnium and Tantalum Nitride Thin Films Prepared by Magnetron Sputter Deposition with a Nitride Target

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著者

    • 後藤 康仁 GOTOH Yasuhito
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 紀和 伸政 KIWA Nobumasa
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 辻 博司 [他] TSUJI Hiroshi
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University
    • 石川 順三 ISHIKAWA Junzo
    • 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻 Department of Electronic Science and Engineering, Kyoto University

抄録

We have prepared hafnium and tantalum nitride thin films by magnetron sputter deposition and evaluated their properties. Unlike the common preparation method of the nitride, that is, reactive sputtering, we adopted the direct sputtering of nitride target by pure argon plasma. The nitrogen concentration of the films was approximately the same with the target for hafnium nitride, but was slightly lower than the target for tantalum nitride. The film properties such as crystallinity and work function was measured.

収録刊行物

  • 真空

    真空 45(3), 309-312, 2002-03-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  6件中 1-6件 を表示

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    後藤康仁

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    後藤康仁

    真空 42, 305, 1999

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    後藤康仁

    第42回真空に関する連合講演会講演予稿集 184, 2001

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    SURPLICE N. A.

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    DOI 被引用文献6件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008203193
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    6144770
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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