SOI基板上に形成した二重注入型磁気ダイオード Double Injection Type Magnetodiode Formed on a SOI Substrate

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抄録

Semiconductor magnetodiode with very small size, which has similar operation-principle to the SMD (Sony magnetodiode), has been fabricated on a thin Si film of SOI substrate and its fundamental characteristics are evaluated. This magnetodiode is able to fabricate together with ICs such as amplifier, driving circuits, compensation circuits, etc. using the update semiconductor IC technologies on a Si chip. Double injection in this magnetodiode is confirmed, and the magnetic sensitivity of ΔI/I<SUB>0</SUB>∼=10% at H=1kOe is obtained in this double injection regime even under non-optimized conditions.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 122(5), 280-284, 2002-05-01

    一般社団法人 電気学会

参考文献:  8件中 1-8件 を表示

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008218952
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    6152670
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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