大面積表面波プラズマによる高速・高選択液晶プロセスの研究 High-Rate and High-Selectivity Liquid Crystal Display Process with A Large Size Surface Wave Plasma Source Using a Slot Antenna

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抄録

A stable and uniform large-area plasma source for a 400 × 500 mm<SUP>2</SUP> size glass substrate using surface waves generated from a slot antenna has been developed. The width of the slot antenna was changed in five stages and two waveguides with two slot antennas were arranging in parallel. Ar plasma electron density of the order of 10<SUP>11</SUP> cm<SUP>-3</SUP> was investigated. As a result of process evaluation, a poly-Si etching rate of 470 nm/min and a SiNx etching rate of 770 nm/min were obtained. These values are approximately twofold to fivefold the corresponding values obtained by conventional chemical dry etching. The ashing rate of 1300 nm/min was sufficient for practical application. The selectivity to SiNx was 100 or more by the addition of CHF<SUB>3</SUB>gas. This is considered to be because the ammonium salt deposited on the SiNx surface formed a protective layer.

収録刊行物

  • 真空

    真空 45(4), 365-371, 2002-04-20

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  14件中 1-14件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008421894
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    6169151
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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