大気圧プラズマCVDによるSiの低温・高速エピタキシャル成長(第2報):成膜温度と投入電力が結晶性に及ぼす影響

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著者

収録刊行物

  • 精密工学会大会学術講演会講演論文集

    精密工学会大会学術講演会講演論文集 2002(1), 614, 2002-03-01

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008501187
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1018673X
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用 
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