Si超微粒子を用いたELデバイスからの発光特性の改善

• 佐藤 慶介

  東海大学

• 岩瀬 満雄

  東海大学

• 和泉 富雄

  東海大学

• 庄 善之

  ミシガン州立大学

• 森崎 弘

  電気通信大学

書誌事項

タイトル別名

• Improvement of Light Emission from Electroluminescent Device using Nanocrystalline Silicon
• Si チョウ ビリュウシ オ モチイタ EL デバイス カラ ノ ハッコウ トクセイ ノ カイゼン

抄録

Electroluminescent device (ELD) using nanocrystalline silicon (nc-Si) was fabricated by annealing of co-sputtering of Si and silicon dioxide (SiO₂) targets and subsequently hydrofluoric (HF) acid solution treatment. The HF treatment made effective electron injection into the nc-Si and the resultant decrease in resistance of the ELD. The HF treatment also made P_b-center, which act as a role of non-radiative recombination center, compensate with hydrogen atoms. From above effects of the HF treatment, the HF-treated ELD emits high efficiency red light with external quantum efficiency of 0.35% under low operating voltage of +4.5 V. Moreover, intensity of the red light emission from the HF-treated ELD is stable for continuous operation above 10 days (operating time of 15000 min).

収録刊行物

• 電気学会論文誌．　Ａ

  電気学会論文誌．　Ａ 122 (6), 616-623, 2002

  一般社団法人 電気学会

キーワード

• シリコン超微粒子
• 欠陥
• 電子スピン共鳴
• 赤色発光
• 外部量子効率
• エレクトロルミネッセンス

詳細情報

• CRID: 1390282679576702592
• NII論文ID: 10008510279
• NII論文ID: 10012485468
• NII書誌ID: AN10136312
• DOI: 10.1541/ieejfms.122.616
• ISSN: 13475533
• ISSN: 03854205
• ISSN: http://id.crossref.org/issn/03854205
• NDL書誌ID: 6175005
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6175005
• Web Site: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/122/6/122_6_616/_pdf
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • Crossref
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可