XAFS測定の半導体への応用 Application of XAFS Measurements to the Study of Semiconductors

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著者

    • 大渕 博宣 OFUCHI Hironori
    • 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering Graduate School of Engineering, Nagoya University
    • 田渕 雅夫 TABUCHI Masao
    • 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering Graduate School of Engineering, Nagoya University
    • 竹田 美和 TAKEDA Yoshikazu
    • 名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻 Department of Materials Science and Engineering Graduate School of Engineering, Nagoya University

抄録

We demonstrated that fluorescence XAFS measurements can reveal the local structures around dilute elements in thin semiconductor layers. In the GaAs samples doped with Er and O, majority of the Er atoms substituted Ga sublattices with adjacent two O atoms and two As atoms (Er-2O center). In the GaInN/GaN samples, it was shown that the segregation of InN phase occurred in the GaInN layer at a higher In-content (<I>x</I> = 0.30), although the segregation was not observed at a lower In-content (<I>x</I> = 0.05). XANES spectrum in the Tb-implanted SiO<Sub>2</Sub> sample was observed by detecting X-ray-excited visible luminescence. The spectrum was quite similar to that was measured by detecting fluorescence X-ray.

収録刊行物

  • 表面科学

    表面科学 23(6), 367-373, 2002-06-10

    The Surface Science Society of Japan

参考文献:  18件中 1-18件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008563790
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00334149
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03885321
  • NDL 記事登録ID
    6184712
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-379
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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