埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価 Fabrication and characterizations of AlGaN/GaN HEMTs with a buried p-layer

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収録刊行物

  • 電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society

    電気学会論文誌. C, 電子・情報・システム部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. C, A publication of Electronics, Information and System Society 122(7), 1085-1088, 2002-07-01

    電気学会

参考文献:  9件中 1-9件 を表示

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  • A New Hierarchical RSM for TCAD-Based Device Design in 0.4μm CMOS Development

    SATO Hisako , TSUNENO Katsumi , AOYAMA Kimiko , NAKAMURA Takahide , KUNITOMO Hisaaki , MASUDA Hiroo

    IEICE transactions on electronics 79(2), 226-233, 1996-02-25

    参考文献13件 被引用文献13件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008844188
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10065950
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    03854221
  • NDL 記事登録ID
    6204482
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-795
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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