シリコンデバイスにおける微少リークパスの FIB/TEM による解析 Nano-scale Defect Analysis of Gate Leak in Semiconductor Device by FIB and TEM

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

収録刊行物

  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 40(12), 994, 2001-12-20

    公益社団法人 日本金属学会

参考文献:  3件中 1-3件 を表示

  • <no title>

    YOUNG R.

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 199, 205, 1990

    被引用文献1件

  • <no title>

    KATO N. I.

    Material Science in Semiconductor Processing 4, 113, 2001

    被引用文献1件

  • <no title>

    KATO N. I.

    J. Vac. Sci. Technol. A16, 1127, 1998

    被引用文献1件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008847765
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    13402625
  • データ提供元
    CJP書誌  J-STAGE 
ページトップへ