アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化 Reduction of Threading Dislocation Density in GaN Films by Antisurfactant-mediated Epitaxy

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収録刊行物

  • まてりあ : 日本金属学会会報

    まてりあ : 日本金属学会会報 40(12), 1009, 2001-12-20

    公益社団法人 日本金属学会

参考文献:  1件中 1-1件 を表示

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    TANAKA S.

    Jpn. J. Appl. Phys. 39, L831, 2000

    被引用文献11件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008847810
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10433227
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    13402625
  • データ提供元
    CJP書誌  J-STAGE 
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