シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SON(Silicon on Noting)の形成 Formation of SON (silicon on noting) structure using surface migration of silicon atoms

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著者

    • 水島 一郎 MIZUSHIMA Ichiro
    • (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company,TOSHIBA Corporation
    • 佐藤 力 SATO Tsutomu
    • (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company,TOSHIBA Corporation
    • 綱島 祥隆 TSUNASHIMA Yoshitaka
    • (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター Process & Manufacturing Engineering Center, Semiconductor Company,TOSHIBA Corporation

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 69(10), 1187-1191, 2000-10-10

    応用物理学会

参考文献:  19件中 1-19件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008979111
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    5497309
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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