SiGe基板上ひずみシリコン結晶技術 Strained silicon crystal on SiGe substrate

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著者

    • 杉山 直治 SUGIYAMA Naoharu
    • (株)東芝・研究開発センター・LSI基盤技術ラボラトリー Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research and Development Center,Toshiba Corporation

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 69(11), 1315-1319, 2000-11-10

    応用物理学会

参考文献:  35件中 1-35件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008979571
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    5543791
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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