新しいシリコン系混晶材料Si_<1-x-y>Ge_xC_yの成長 Epitaxial growth of Si_<1-x-y>Ge_xC_y crystals as novel group-IV alloy materials for Si-based electronics

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著者

    • 神澤 好彦 KANZAWA Yoshihiko
    • 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.
    • 能澤 克弥 NOZAWA Katsuya
    • 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.
    • 齋藤 徹 [他] SAITOH Tohru
    • 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.
    • 久保 実 KUBO Minoru
    • 松下電器産業(株)先端技術研究所半導体グループ Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.

抄録

IV族元素の混酪であるSi<sub>1-<i>x-y</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>C<sub><i>y</i></sub>は,ひずみやバンドギャップを制御可能なSi系高速半導体デバイス材料として最近注目されている.しかし,この結晶は,Cのもつ特有の性質により,作製が比較的困難である。われわれはこの結晶をUHV-CVDと呼ばれる手法によって作製を行っており,最近かなり良質の結晶が得られるようになってきた.本稿では特に, Si<sub>1-<i>x-y</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub>C<sub><i>y</i></sub>結晶の結贔性や組成が成長温度ならびに各種原料ガスの分圧によってどのように変化するかにっいて,得られたデータをもとにまとめる.

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 69(12), 1450-1454, 2000-12-10

    The Japan Society of Applied Physics

参考文献:  14件中 1-14件 を表示

  • <no title>

    JAIN S. C.

    Semicond. Sci. Technol. 10, 1289, 1995

    被引用文献3件

  • <no title>

    STURM J. C.

    MRS Bullietin 23(4), 60, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    BRUNNER K.

    J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1701, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    OSTEN H. J.

    1999 BCTM Tech. Dig. 109

    被引用文献1件

  • <no title>

    SCACE R. I.

    J. Chem. Phys. 30, 1551, 1959

    被引用文献6件

  • <no title>

    YUKI K.

    Ext. Abstr. Int. Conf. SSDM 68, 2000

    被引用文献1件

  • <no title>

    TAKAGI T.

    2000 BCTM Tech. Dig. 114

    被引用文献1件

  • <no title>

    BERTI M.

    Appl. Phys. Lett. 72, 1602, 1998

    被引用文献3件

  • <no title>

    HOYT J. L.

    Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 533, 263, 1998

    被引用文献1件

  • <no title>

    MITCHELL T. O.

    Appl. Phys. Lett. 71, 1688, 1997

    被引用文献2件

  • <no title>

    MI J.

    J. Vac. Sci. & Technol. 14, 1660, 1996

    被引用文献2件

  • <no title>

    ICHIKAWA A.

    Thin Solid Films 369, 167, 2000

    被引用文献3件

  • <no title>

    JOHNSON A. D.

    J. Phys. Chem. 97, 12937, 1993

    DOI 被引用文献2件

  • <no title>

    HOYT J. L.

    Thin Solid Films 321, 41, 1998

    DOI 被引用文献5件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008980012
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    5584728
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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