Epitaxial growth of Si<sub>1-x-y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub> crystals as novel group-IV alloy materials for Si-based electronics

DOI Web Site 14 References
  • KANZAWA Yoshihiko
    Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.
  • NOZAWA Katsuya
    Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.
  • SAITOH Tohru
    Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.
  • KUBO Minoru
    Semiconductor Group, Advanced Technology Research Laboratories, Matsushita Electric Industrial Co, Ltd.

Bibliographic Information

Other Title
  • 新しいシリコン系混晶材料Si<sub>1-x-y</sub>Ge<sub>x</sub>C<sub>y</sub>の成長
  • 研究紹介 新しいシリコン系混晶材料Si1-x-yGexCyの成長
  • ケンキュウ ショウカイ アタラシイ シリコンケイコンショウザイリョウ Si1 x yGexCy ノ セイチョウ

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Abstract

IV族元素の混酪であるSi1-x-yGexCyは,ひずみやバンドギャップを制御可能なSi系高速半導体デバイス材料として最近注目されている.しかし,この結晶は,Cのもつ特有の性質により,作製が比較的困難である。われわれはこの結晶をUHV-CVDと呼ばれる手法によって作製を行っており,最近かなり良質の結晶が得られるようになってきた.本稿では特に, Si1-x-yGexCy結晶の結贔性や組成が成長温度ならびに各種原料ガスの分圧によってどのように変化するかにっいて,得られたデータをもとにまとめる.

Journal

  • Oyo Buturi

    Oyo Buturi 69 (12), 1450-1454, 2000

    The Japan Society of Applied Physics

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