強誘電体メモリーの基礎特性と今後の展開 Basic characteristics of ferroelectric random access memory and its future application

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著者

    • 國尾 武光 KUNIO Takemitsu
    • 日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation
    • 波田 博光 HADA Hiromitsu
    • 日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所 Silicon Systems Research Laboratories, System Devices and Fundamental Research, NEC Corporation

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 70(1), 74-78, 2001-01-10

    応用物理学会

参考文献:  7件中 1-7件 を表示

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    被引用文献1件

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008980323
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    5608664
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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