基礎講座 基礎編:半導体メモリー 強誘電体メモリーの基礎特性と今後の展開

• 國尾 武光

• 波田 博光

Bibliographic Information

Other Title

• キソ コウザ キソヘン ハンドウタイ メモリー キョウ ユウデンタイ メモリー ノ キソ トクセイ ト コンゴ ノ テンカイ

Journal

• 応用物理

  応用物理 70 (1), 74-78, 2001-01

  東京 : 応用物理学会

Keywords

• ferroelectric random access memory
• non-volatile memory
• PZT
• SBT
• hysteresis loop
• fatigue
• imprint
• retention

Details

• CRID: 1520853833203434368
• NII Article ID: 10008980323
• NII Book ID: AN00026679
• ISSN: 03698009
• NDL BIB ID: 5608664
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I5608664
• Text Lang: ja
• NDL Source Classification:
  • ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
• Data Source:
  • NDL
  • CiNii Articles