MOCVD六方晶GaN薄膜成長と極性構造 Polar surface structure of wurtzite GaN epitaxial film grown by MOCVD

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著者

    • 福家 俊郎 FUKE Shunro
    • 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electrical & Electronic Engineering, Shizuoka University

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 70(2), 178-182, 2001-02-10

    応用物理学会

参考文献:  36件中 1-36件 を表示

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    応用物理学会 被引用文献18件

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10008980557
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    5660359
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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