Photomodulated Second-Harmonic Generation at Silicon-Silicon Oxide Interfaces: From Modeling to Application

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抄録

A photomodulation technique based on the nonlinear-optical process of second-harmonic generation (SHG) is developed for characterizing Si/SiO2 interfaces and silicon-based metal-oxide-semiconductor (MOS) structures. The mechanisms of photoinduced SHG are discussed and a quantitative model of the SHG response is formulated. A method of extracting parameters of the Si/SiO2 interface from in situ-photomodulated-SHG measurements is proposed. The accuracy of the technique for measuring parameters of silicon-based MOS structures is estimated.

収録刊行物

  • Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes

    Japanese journal of applied physics. Pt. 1, Regular papers & short notes 42(11), 6731-6736, 2003-11-15

    公益社団法人 応用物理学会

参考文献:  23件中 1-23件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10012563486
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10457675
  • 本文言語コード
    EN
  • 資料種別
    ART
  • 雑誌種別
    大学紀要
  • ISSN
    0021-4922
  • NDL 記事登録ID
    6751889
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z53-A375
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE  JSAP 
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