窒化物半導体電子デバイスにおける表面制御 Surface control and passivation of GaN-based electron devices

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著者

    • 橋詰 保 HASHIZUME Tamotsu
    • 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

収録刊行物

  • 應用物理

    應用物理 73(3), 333-338, 2004-03-10

    応用物理学会

参考文献:  63件中 1-63件 を表示

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    参考文献15件 被引用文献12件

被引用文献:  1件中 1-1件 を表示

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10012703074
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00026679
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    03698009
  • NDL 記事登録ID
    6875140
  • NDL 雑誌分類
    ZM17(科学技術--科学技術一般--力学・応用力学)
  • NDL 請求記号
    Z15-243
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL 
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