原子間力顕微鏡を用いたシリコン酸化膜研磨メカニズムの研究

• 瀬田 聡子

  (株)東芝 研究開発センター 機械・システムラボラトリー

• 西岡 岳

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター 半導体プロセス開発第五部

書誌事項

タイトル別名

• Study of polishing mechanism in CMP process using an atomic force microscope
• 研究紹介 原子間力顕微鏡を用いたシリコン酸化膜研磨メカニズムの研究
• ケンキュウ ショウカイ ゲンシカンリョク ケンビキョウ オ モチイタ シリコン サンカ マク ケンマ メカニズム ノ ケンキュウ

抄録

化学的機械研磨(CMP)による平たん化は，ULSIの高集積化・微細化を支える，必要不可欠なプロセスである．優れた平たん化特性を実現するためには，CMPプロセスの本質を明らかにし，研磨に用いる研磨スラリーを最適化することが重要なポイントとなる．われわれは，スラリー設計への指針を示すことを目的とし，CMPの研磨メカニズムをミクロな観点から調べてきた．本稿では，絶縁膜用CMPで実用化されている2種類の研磨スラリーを対象に，原子間力顕微鏡により研磨スラリーが被研磨面に与える影響を評価した結果を紹介する．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 73 (3), 368-372, 2004-03-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• chemical mechanical polishing
• planarization
• slurry
• pH
• surfactant
• atomic force microscope
• wear

詳細情報

• CRID: 1390001277355471360
• NII論文ID: 10012703239
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.73.3_368
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 6875346
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I6875346
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可