書誌事項
- タイトル別名
-
- Laser Produced Plasma for EUV Light Source For Lithography
- レーザー セイセイ プラズマ オ モチイタ ジ セダイ リソグラフィ EUV コウゲン
この論文をさがす
抄録
We describe properties of laser produced plasmas (LPP) for extreme ultra violet (EUV) light source for next generation lithography as an industrial application of LPP. We briefly present three topics related to the LPPEUV light source; laser intensity dependence of conversion efficiency from laser light to EUV light with 13.5nm wavelength with 2% bound width with tin target, present understanding of EUV emission from xenon target, and atomic processes in those targets.
収録刊行物
-
- レーザー研究
-
レーザー研究 32 (5), 330-336, 2004
一般社団法人 レーザー学会
- Tweet
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1390282679622205568
-
- NII論文ID
- 10012932295
-
- NII書誌ID
- AN00255326
-
- COI
- 1:CAS:528:DC%2BD2cXlsFGjs78%3D
-
- ISSN
- 13496603
- 03870200
-
- NDL書誌ID
- 6953165
-
- 本文言語コード
- ja
-
- データソース種別
-
- JaLC
- NDL
- Crossref
- CiNii Articles
-
- 抄録ライセンスフラグ
- 使用不可