TLZ (Traveling Liquidus-Zone) 法によるIn_<0.3>Ga_<0.7>As板状結晶の育成

  • 木下 恭一
    宇宙航空研究開発機構、宇宙科学研究本部、ISS科学プロジェクト室
  • 緒方 康行
    宇宙航空研究開発機構、宇宙科学研究本部、ISS科学プロジェクト室
  • 足立 聡
    宇宙航空研究開発機構、宇宙科学研究本部、ISS科学プロジェクト室
  • 夏井坂 誠
    宇宙航空研究開発機構、宇宙科学研究本部、ISS科学プロジェクト室
  • 石川 毅彦
    宇宙航空研究開発機構、宇宙科学研究本部、宇宙環境利用科学研究系
  • 正木 匡彦
    宇宙航空研究開発機構、宇宙科学研究本部、宇宙環境利用科学研究系
  • 依田 眞一
    宇宙航空研究開発機構、宇宙科学研究本部、宇宙環境利用科学研究系

書誌事項

タイトル別名
  • In_<0.3>Ga_<0.7>As Plate Crystal Growth by the TLZ (Traveling Liquidus-Zone) Method

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詳細情報 詳細情報について

  • CRID
    1573950399815959296
  • NII論文ID
    10013791712
  • NII書誌ID
    AN10537663
  • ISSN
    09153616
  • 本文言語コード
    en
  • データソース種別
    • CiNii Articles

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