高圧下融液徐冷法によるIII族窒化物半導体単結晶育成

• 内海 渉

  日本原子力研究所 関西研究所 放射光科学研究センター

• 齋藤 寛之

  日本原子力研究所 関西研究所 放射光科学研究センター

• 谷口 尚

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 青木 勝敏

  日本原子力研究所 関西研究所 放射光科学研究センター

書誌事項

タイトル別名

• Single-crystal growth of group III nitride semiconductors by slow cooling of their melts under high pressure
• 最近の展望 高圧下融液徐冷法によるIII族窒化物半導体単結晶育成
• サイキン ノ テンボウ コウアツカユウエキ ジョレイホウ ニ ヨル 3ゾク チッカブツ ハンドウタイタンケッショウ イクセイ

抄録

GaN単結晶の新しい合成法である「高圧下でその融液を徐冷して単結晶を育成する手法」を紹介する．6GPaを超える超高圧下では，高温におけるGaと窒素への分解が抑制され，GaNが液体として存在できる．この現象に基づいて，大型プレスの高温・高圧装置を用いた融液徐冷法によるGaN単結晶育成が可能になってきた．AlN-GaN混晶やInN結晶など，他のIII族窒化物半導体結晶合成への展開の現状と見通しについても述べる．

収録刊行物

• 応用物理

  応用物理 74 (5), 593-596, 2005-05-10

  公益社団法人 応用物理学会

キーワード

• nitride semiconductors
• GaN
• AlN
• InN
• single crystal
• high pressure
• congruent melt

詳細情報

• CRID: 1390001277355510784
• NII論文ID: 10015722572
• NII書誌ID: AN00026679
• DOI: 10.11470/oubutsu.74.5_593
• ISSN: 21882290
• ISSN: 03698009
• NDL書誌ID: 7351087
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7351087
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • JaLC
  • NDL
  • CiNii Articles
  • KAKEN
• 抄録ライセンスフラグ: 使用不可