(00l)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング

• 彦坂 年輝

• 小出 典克

• 本田 善央

書誌事項

タイトル別名

• 00l Si ケイシャ キバン ジョウ 1 101 GaN エ ノ Si オヨビ Cドーピング

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 105 (90), 69-74, 2005-05-27

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• MOVPE
• 選択成長
• Siドーピング
• Selective Area Growth
• Si doping
• C doping

詳細情報

• CRID: 1520009409128281216
• NII論文ID: 40006771366
• NII論文ID: 10016152339
• NII論文ID: 10016151904
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 7360900
• NDL書誌ID: 7361491
• NDL書誌ID: 7361284
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7360900
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7361491
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7361284
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles