低スタンバイ電力用途HfSiONトランジスタの高集積化

• 大塚 文雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 峰地 輝

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 田村 泰之

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 渡辺 俊成

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 佐々木 隆興

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 青山 知憲

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 安平 光雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 有門 経敏

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

書誌事項

タイトル別名

• Integration of HfSiON Transistors for Low-Standby-Power Applications

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2005 (22), 25-30, 2005-06-03

キーワード

• HfSiONトランジスタ
• 低リーク
• 低スタンバイ電力
• SRAM
• 低熱負荷

詳細情報

• CRID: 1573950400003210240
• NII論文ID: 10016470666
• NII書誌ID: AN10442556
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles