ポーラスシリカの低誘電率絶縁膜への応用

• 藤井 宣年

  半導体MIRAI-ASET

• 中山 高博

  半導体MIRAI-ASET

• 高村 一夫

  半導体MIRAI-ASET

• 田中 博文

  半導体MIRAI-ASET

• 清野 豊

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 秦 信宏

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 吉野 雄信

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 吉川 公麿

  半導体MIRAI-産総研ASRC

書誌事項

タイトル別名

• Development of Mesoporous Silica Films for Ultra Low-k Interlayer Dielectrics

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2005 (22), 43-46, 2005-06-03

キーワード

• 低誘電率層間絶縁膜
• メソポーラスシリカ
• 界面活性剤
• 機械的強度

詳細情報

• CRID: 1570291225305970304
• NII論文ID: 10016470696
• NII書誌ID: AN10442556
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles