極紫外顕微ラマン分光法の開発 : 半導体ナノ表面層の評価 Development of Deep Ultraviolet micro-Raman Spectroscopy : Characterization of nanosurface of semiconductors

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著者

    • 中島 信一 NAKASHIMA Shin-ichi
    • (独)産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
    • 三谷 武志 MITANI Takashi
    • (独)産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
    • 奥村 元 OKUMURA Hajime
    • (独)産業技術総合研究所, パワーエレクトロニクス研究センター Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

抄録

Recent advance in instrumentations has provided progress in deep ultraviolet (DUV) Raman spectroscopy. This technique has enabled to characterize thin surface layers of wide gap semiconductors, because the penetra-tion depth of the DUV light is very shallow for these materials. We have briefly reviewed present status of the DUV Raman spectroscopy and its application to studies of inorganic and organic materials. Results of the DUV Raman characterization of surfaces and damage in nano-scaled surface layers which is induced by processing for device fabrication are also described.

収録刊行物

  • 分光研究 = Journal of the spectroscopical research of Japan  

    分光研究 = Journal of the spectroscopical research of Japan 55(5), 295-307, 2006-10-15 

    The Spectroscopical Society of Japan

参考文献:  43件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018105773
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00222531
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    REV
  • ISSN
    00387002
  • NDL 記事登録ID
    8548203
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z15-1
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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