オゾン濃度その場測定によるUV光励起オゾン低温酸化プロセス中のO(^1D)の時間分布の解析 Analysis of O(^1D) Distribution by Time-Resolved Measurement of Ozone Density for Application of UV-light Excited Ozone to Oxidation Process

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抄録

  Silicon oxidation process using UV-light excited ozone, i.e., ca. 100% ozone atmosphere irradiated by KrF excimer laser light (λ=248 nm), is one of the most promising techniques to fabricate a high-quality SiO<sub>2</sub> film at low temperatures. To clarify the mechanism of the silicon oxidation and to optimize the conditions of oxidation, we have done a time-resolved measurement of ozone density. The result shows that there are three stages of ozone density change. The calculated ozone density based on a reaction model fits the observed density at the first stage.<br>

収録刊行物

  • 真空 = JOURNAL OF THE VACUUM SOCIETY OF JAPAN  

    真空 = JOURNAL OF THE VACUUM SOCIETY OF JAPAN 49(3), 123-125, 2006-03-20 

    The Vacuum Society of Japan

参考文献:  10件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018133449
  • NII書誌ID(NCID)
    AN00119871
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    05598516
  • NDL 記事登録ID
    7930658
  • NDL 雑誌分類
    ZN15(科学技術--機械工学・工業--流体機械)
  • NDL 請求記号
    Z16-474
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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