GaAsウェハの微粒子TiO_2とH_2O_2によるCMP技術の研究 The Investigation of Chemical Mechanical Polishing of GaAs wafer by TiO_2-H_2O_2 Slurry System

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抄録

GaAsや他のIII-V族化合物半導体はシリコンより広いダイレクトバンドギャップと速い電子移動度を有しているため,オプトエレクトロニクや高周波のデバイスの製造に適している.これまでGaAsの研磨スラリーは塩素系の次亜塩素酸ナトリウム(NaOCl)溶液とSiO<SUB>2</SUB> 粉末のシステムが使用されているが,その他のスラリーに対する研究はなされていない.本研究では,スラリーとしてより安全で環境にもやさしい過酸化水素に注目してその研磨特性を検討した.過酸化水素のさまざまな分解特性を生かして,研磨を行った.研磨剤は光触媒用の微粒子TiO<SUB>2</SUB>を用いて,研磨特性を評価した.GaAsウェハの研磨面は光学顕微鏡,XPS, WYKO, およびAFMを使用して評価した.

収録刊行物

  • 砥粒加工学会誌 = Journal of the Japan Society of Grinding Engineers  

    砥粒加工学会誌 = Journal of the Japan Society of Grinding Engineers 50(7), 391-396, 2006-07-01 

    The Japan Society for Abrasive Technology

参考文献:  8件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018146020
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10192823
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    09142703
  • NDL 記事登録ID
    8020215
  • NDL 雑誌分類
    ZN11(科学技術--機械工学・工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-1147
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL  J-STAGE 
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