非晶質Asマスクを用いたInの部分拡散によるGaInAs/GaAs構造の選択形成

• 則竹 陽介

• 山田 巧

• 田渕 雅夫

書誌事項

タイトル別名

• ヒショウシツ As マスク オ モチイタ In ノ ブブン カクサン ニ ヨル GaInAs GaAs コウゾウ ノ センタク ケイセイ

収録刊行物

• 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

  電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 106 (47), 85-90, 2006-05

  東京 : 電子情報通信学会

キーワード

• 真空一貫プロセス
• ヘテロ構造
• 分子線エピタキシー
• amorphous arsenic
• UHV process
• hetero-structure
• molecular beam epitaxy

詳細情報

• CRID: 1520572357230211712
• NII論文ID: 10018154684
• NII論文ID: 110004744994
• NII論文ID: 110004737611
• NII論文ID: 110004741412
• NII書誌ID: AA1123312X
• ISSN: 09135685
• NDL書誌ID: 7939431
• NDL書誌ID: 7938928
• NDL書誌ID: 7939267
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7939431
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7938928
• Web Site: https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R000000004-I7939267
• 本文言語コード: ja
• NDL 雑誌分類:
  • ZN33(科学技術--電気工学・電気機械工業--電子工学・電気通信)
• データソース種別:
  • NDL
  • CiNii Articles