過剰キャリア減衰曲線に現れる遅い成分の温度依存性からのトラップパラメータの導出 Estimation of trap parameters from a slow component of excess carrier decay curves

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著者

    • 市村 正也 ICHIMURA Masaya
    • 名古屋工業大学電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering, Nagoya Institute of Technology

収録刊行物

  • 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス  

    電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 106(45), 101-106, 2006-05-11 

参考文献:  14件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018154722
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10012954
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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