MO-CVDによるSrBi_2Ta_2O_9薄膜を用いた0.25μm級FeRAM用スタックキャパシタの開発

• 山野辺 智美

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 一森 高示

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 小澤 晋也

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 高屋 浩二

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 林 孝尚

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 足利 欣哉

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 小林 康孝

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

• 長友 良樹

  沖電気工業 半導体事業グループ 研究本部

書誌事項

タイトル別名

• Development of 0.25μm FeRAM stacked capacitor with MO-CVD SrBi_2Ta_2O_9 film

収録刊行物

• 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会

  電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006 (1), 1-4, 2006-06-28

キーワード

• SBT
• MO-CVD
• FeRAM
• スタックキャパシタ
• 密封構造

詳細情報

• CRID: 1573105975218692352
• NII論文ID: 10018156822
• NII書誌ID: AN10442556
• 本文言語コード: ja
• データソース種別:
  • CiNii Articles