高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製 Fabrication of High-Performance, Highly Reliable HfSiON Gate Dielectric

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著者

    • 井上 真雄 INOUE M.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
    • 水谷 斉治 MIZUTANI M.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
    • 林 岳 HAYASHI T.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
    • 野村 幸司 NOMURA K.
    • (株)ルネサスセミコンダクタエンジニアリング、プロセス技術部 Process Engineering Dept., Renesas Semiconductor Engineering Corp.
    • 辻川 真平 TSUJIKAWA S.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
    • 志賀 克哉 SHIGA K.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
    • 土本 淳一 TSUCHIMOTO J.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
    • 藤原 啓司 FUJIWARA K.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.
    • 米田 昌弘 YONEDA M.
    • (株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部 Production and Technology Unit, Process Technology Development Div., Renesas Technology Corp.

収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会  

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006(1), 5-8, 2006-06-28 

参考文献:  6件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018156826
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10442556
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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