高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善 Improvement of Transistor Performance and Insulator Reliability by Robust high-k/IL/Si Structure with High Temperature Wet Treatment after HfON Deposition

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収録刊行物

  • 電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会  

    電気学会研究会資料. EFM, 電子材料研究会 2006(1), 21-24, 2006-06-28 

参考文献:  3件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018156855
  • NII書誌ID(NCID)
    AN10442556
  • 本文言語コード
    JPN
  • 資料種別
    ART
  • データ提供元
    CJP書誌 
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