Concentration Study of Deep-Level Cu Center in Cu-Diffused Si Crystals by Deep-Level Transient Spectroscopy and Photoluminescence Measurements
書誌事項
- タイトル別名
-
- Concentration Study of Deep Level Cu Center in Cu Diffused Si Crystals by Deep Level Transient Spectroscopy and Photoluminescence Measurements
この論文をさがす
収録刊行物
-
- Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters
-
Japanese journal of applied physics. Part 2, Letters & express letters 45 (1-3), L80-82, 2006
Tokyo : Japan Society of Applied Physics
- Tweet
キーワード
詳細情報 詳細情報について
-
- CRID
- 1523106605282836096
-
- NII論文ID
- 10018159699
-
- NII書誌ID
- AA11906093
-
- ISSN
- 00214922
-
- NDL書誌ID
- 7790495
-
- 本文言語コード
- en
-
- NDL 雑誌分類
-
- ZM35(科学技術--物理学)
-
- データソース種別
-
- NDL
- CiNii Articles