Nonalloyed Ohmic Formation for p-Type AlGaN with p-Type GaN Capping Layers Using Ohmic Recessed Technique

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  • Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters

    Japanese journal of applied physics. Pt. 2, Letters 45(1), L86-L88, 2006-01-25

    Japan Society of Applied Physics

参考文献:  20件中 1-20件 を表示

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018159744
  • NII書誌ID(NCID)
    AA10650595
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    SHO
  • ISSN
    00214922
  • NDL 記事登録ID
    7790544
  • NDL 雑誌分類
    ZM35(科学技術--物理学)
  • NDL 請求記号
    Z54-J337
  • データ提供元
    CJP書誌  NDL 
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