A High-Speed Thermoelectric Infrared Sensor Fabricated by CMOS Technology and Micromachining (特集 次世代自動車センシングシステム) A High-Speed Thermoelectric Infrared Sensor Fabricated by CMOS Technology and Micromachining

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抄録

A high-speed thermoelectric infrared sensor has been fabricated by the CMOS process and micromachining. The time constant of the sensor has been reduced by means of a reduction of sensor size and a thin Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub> membrane structure. The sensitivity has been improved with a precisely patterned Au black infrared absorption layer formed by a PSG lift-off process. The characteristics of the sensor have been simulated using a thermal equivalent circuit model. A time constant of 270 μsec and sensitivity of 60 V/W at atmospheric pressure have been achieved. This time constant is smaller than any other reported value of thermopiles.

収録刊行物

  • 電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society  

    電気学会論文誌. E, センサ・マイクロマシン準部門誌 = The transactions of the Institute of Electrical Engineers of Japan. A publication of Sensors and Micromachines Society 126(8), 393-396, 2006-08-01 

    The Institute of Electrical Engineers of Japan

参考文献:  12件

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被引用文献:  1件

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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    10018182163
  • NII書誌ID(NCID)
    AN1052634X
  • 本文言語コード
    ENG
  • 資料種別
    ART
  • ISSN
    13418939
  • NDL 記事登録ID
    8056203
  • NDL 雑誌分類
    ZN31(科学技術--電気工学・電気機械工業)
  • NDL 請求記号
    Z16-B380
  • データ提供元
    CJP書誌  CJP引用  NDL  J-STAGE 
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